收藏本站
IRFBA1404P
12000
10000
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
I D = 95A
V DS = 32V
V DS = 20V
8000
Cis s
12
6000
8
4000
2000
Coss
4
0
1
Crss
10
100
0
0
40
80
120
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
160    200    240
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
T J = 175 ° C
100
10000
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
T J = 25 C
10
°
100
10
100us
1ms
10ms
T C = 25 C
1
0.4
0.8
1.2
1.6
V GS = 0 V
2.0      2.4
1
1
°
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRFBF30STRR MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
IRFH5255TRPBF MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN
IRFH5306TRPBF MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN
IRFH5406TRPBF MOSFET N-CH 60V 40A 8-PQFN
IRFH7921TRPBF MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
IRFH7923TRPBF MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
IRFHS9301TR2PBF MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
IRFI1310N MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
相关代理商/技术参数
IRFBA1404PPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 206A 3.7mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBA1405 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A)
IRFBA1405P 功能描述:MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBA1405PPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 174A 5mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBA1405PPBF-ND 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
IRFBA22N50 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.23ohm, Id=24A)
IRFBA22N50A 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 24 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBA22N50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 24 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube